- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
雙靶直流磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性?xún)r(jià)比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、可定制化的特點(diǎn)。磁控靶有1英寸2英寸可以選擇，客戶(hù)可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購(gòu)；所配電源為兩個(gè)500W直流電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，兩個(gè)靶可以滿(mǎn)足多層或者多次鍍膜的需要。
雙靶直流磁控濺射鍍膜儀適用范圍：
雙靶直流磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該雙靶磁控濺射鍍膜儀與同類(lèi)設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備。雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
|
項(xiàng)目 |
明細(xì) |
|
|
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-MSZ300S-II-DCDC-SS |
|
|
供電電壓 |
AC220V，50Hz |
|
|
整機(jī)功率 |
2KW |
|
|
系統(tǒng)真空 |
≦5×10-4Pa |
|
|
樣品臺(tái) |
外形尺寸 |
φ140mm |
|
加熱溫度 |
≦500℃ |
|
|
控溫精度 |
±1℃ |
|
|
可調(diào)轉(zhuǎn)速 |
≦20rpm |
|
|
磁控靶槍 |
靶材尺寸 |
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm |
|
冷卻模式 |
循環(huán)水冷 |
|
|
水流大小 |
不小于10L/Min |
|
|
真空腔體 |
腔體尺寸 |
直徑φ300mm，高度300mm |
|
腔體材質(zhì) |
SUU304不銹鋼 |
|
|
觀察窗口 |
直徑φ100mm |
|
|
開(kāi)啟方式 |
上頂開(kāi)式 |
|
|
氣體控制 |
1路質(zhì)量流量計(jì)用于控制Ar流量，量程為:200SCCM |
|
|
真空系統(tǒng) |
配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S |
|
|
膜厚測(cè)量 |
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ? |
|
|
濺射電源 |
配直流電源,功率500W*2 |
|
|
控制系統(tǒng) |
CYKY自研專(zhuān)業(yè)級(jí)控制系統(tǒng) |
|
|
設(shè)備尺寸 |
600mm×650mm×1080mm |
|
|
設(shè)備重量 |
145kg |
|
