真空磁控濺射鍍膜系統設備用途：

 用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

真空磁控濺射鍍膜系統技術參數：

真空室		圓筒型前開門結構，尺寸?450×40mm
真空系統配置		復合分子泵、機械泵、氣動閘板閥、進口SMC氣缸節(jié)流閥
極限壓力		≤6.6 *10-6 Pa。（經烘烤除氣后）
恢復真空時間		25 分鐘可達到≤6.6×10-6 Pa。（短時間撰茲大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣）
磁控靶組件		永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；三個靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~130mm可調；每個靶配進口 SMC 旋轉氣動擋板
單基片加熱臺	樣品尺寸	?4英寸
	運動方式	基片可連續(xù)回轉，轉速 0－30 轉/分
	加熱	進口加熱絲加熱，zui高加熱溫度 600℃ ±1℃
	擋板形式	進口 SMC 轉角氣缸控制
氣路系統		質 量 流 量 控制器 2 路
計算機控制系統		采用 PLC ＋工控機＋觸摸屏全自動控制方式
可選配件		膜厚儀、氣泵、水冷循環(huán)機
設備占地面積	主機	I000×1800mm2
	電控柜	900×600mm2

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