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CY- MIOP500 為高真空多弧離子鍍膜儀，利用電弧放電將導電材料離子化，利用其繞射性好的優(yōu)勢，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上（特別是泡沫鎳等多孔基底），制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。主要由鍍膜室、多弧靶、多弧電源、脈沖偏壓電源、樣品臺、加熱、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏半自動控制系統(tǒng)等組成；該設(shè)備主機與控制一體化設(shè)計，操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。該系列設(shè)備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實驗及開發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評。
高真空多弧離子鍍膜儀主要用途:
制備多元非晶合金,制備金屬化合物，如氧化物和氮化物薄膜（氧氣或氮氣氛圍）,制備納米顆粒催化劑膜,用熱電材料靶材制備熱電效應薄膜。
高真空多弧離子鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
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1.真空腔室 |
Ф500×H420mm，304 上等不銹鋼，前開門結(jié)構(gòu)； 腔室加熱溫度：室溫～350±1℃； |
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2.真空系統(tǒng) |
復合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統(tǒng)，數(shù)顯復合真空計； |
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優(yōu)于 6.0×10-5Pa（空載，經(jīng)烘烤除氣后）； |
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4.漏率 |
設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h； 設(shè)備保壓：停泵 12 小時候后，真空≤10Pa； |
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5.抽速 |
(空載）從大氣抽至 5.0×10-3Pa≤15min； |
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6.基片臺尺寸 |
Φ150mm，自轉(zhuǎn)工位 3 個； |
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7.基片臺旋轉(zhuǎn) |
基片旋轉(zhuǎn)：0～20 轉(zhuǎn)/分鐘； |
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8.濺射靶 |
DN100 新型磁過濾多弧靶 2 套 |
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9.脈沖偏壓電源 |
-1000V，1 套； |
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11.控制方式 |
PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統(tǒng)； |
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12.報警及保護 |
對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護措施；完善 的邏輯程序互鎖保護系統(tǒng)； |
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13.占地 |
(主機）L1900×W800×H1900(mm)。 |
