激光鍍膜設(shè)備用途：

激光鍍膜設(shè)備用于生長光學(xué)晶體、鐵電體、鐵磁體、超導(dǎo)體和有機(jī)化合物薄膜材料，適用于生長高熔點(diǎn)、多元素及含有氣體元素的復(fù)雜層狀超晶格薄膜材料。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。

激光鍍膜設(shè)備技術(shù)參數(shù)：

主真空室		球型結(jié)構(gòu)，尺寸? 450mm
進(jìn)樣室		圓筒型立式結(jié)構(gòu)，尺寸? 150x 150mm
真空系統(tǒng)配置	主真空室	分子泵與機(jī)械泵，閥門
	進(jìn)樣室	分子泵與機(jī)械泵（與主真空室共用），閥門
極限壓力	主真空室	≦6*10-6Pa（經(jīng)烘烤除氣后）
	進(jìn)樣室	≦6*10-3Pa（經(jīng)烘烤除氣后）
恢復(fù)真空時(shí)間	主真空室	20分鐘可達(dá)到5*10-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣）
	進(jìn)樣室	20分鐘可達(dá)到5*10-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣）
旋轉(zhuǎn)靶臺		靶材*大尺寸約60mm；可一次安裝4塊靶材，可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶;每塊靶材可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分
基片加熱臺	樣品尺寸	?51
	運(yùn)動方式	基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~60轉(zhuǎn)/分
	加熱溫度	基片加熱zui高溫度800Ｃ±1  C，可控可調(diào)
氣路系統(tǒng)		質(zhì)量流量控制器1路，充氣閥1路
可選部件	激光器裝置	配相干201激光器
	激光束掃描裝置	二維掃描機(jī)械平臺，執(zhí)行兩自由度掃描
	計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)	控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶，靶自轉(zhuǎn)，樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃描等
設(shè)備占地面積	主機(jī)	1800 * 1800mm2
	電控柜	700 *700mm2（1個）

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